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主題：加強半導體基礎研究解決卡脖子難題

主講人：駱軍委  研究員/博士生導師

時間：2023年10月17日(星期二)下午2:30-4:00

地點：厚德樓A101

主辦單位：電子科技大學中山學院電子信息學院

電子薄膜與集成器件國家重點實驗室中山分實驗室

廣東省光電轉換與器件重點實驗室

報告人簡介：

駱軍委，中國科學院半導體研究所研究員，半導體超晶格國家重點實驗室副主任，2014年入選國家高層次人才青年項目，2019年獲得國家杰出青年基金，作為團隊負責人2021年獲得中科院穩(wěn)定支持青年團隊資助。2000年和2003年在浙江大學物理系分別獲得學士和碩士學位，2006年在中國科學院半導體研究所獲得理學博士學位，2007年至2014年在美國可再生能源國家實驗室先后任職博士后、Scientist和Senior Scientist，2014年全職回國工作。長期從事半導體物理與器件物理研究，聚焦在解決硅基發(fā)光和硅基量子比特材料等關鍵瓶頸，為后摩爾時代硅基器件提供新方法和新思路。已發(fā)表論文100余篇，包括以第一或通訊作者在Nature Physics、Nature Nanotechnology、Nature Communications、Science Advances和PNAS上發(fā)表論文各1篇以及PRL 7篇。在APS、ACS、E-MRS、ICSNN、JSAP-MRS等國際會議作邀請報告或擔任分會主席。

報告內容摘要：

半導體集成電路已經接近物理極限，微電子技術已經從“微電子科學”轉向“納電子科學”，從“摩爾定律時代”進入“后摩爾時代”，面臨“沒有已知解決方案”的基本物理問題挑戰(zhàn)，如何延續(xù)摩爾定律是當前最重要的前沿科技。迫切需要發(fā)展突破硅CMOS器件性能瓶頸的新材料、新結構、新理論、新器件和新電路等系統(tǒng)性的創(chuàng)新體系，以適應未來對半導體技術“更高速、更智能”的需求。在此報告通過分析我國發(fā)展半導體產業(yè)面臨的諸多困境，解釋為什么只有加強半導體基礎研究才能解決“卡脖子”難題。同時介紹我們?yōu)檠永m(xù)摩爾定律提供新方法和新思路所取得的研究進展，包括發(fā)展半導體直接帶隙和間接帶隙形成機制的統(tǒng)一理論，解決硅形成間接帶隙不發(fā)光的困惑，理論上證明廣泛研究的硅量子點無法實現(xiàn)高效發(fā)光，排除硅量子點硅基發(fā)光方案，并提出摻雜應變鍺直接帶隙發(fā)光的硅基發(fā)光新方案，為解決硅基發(fā)光世界難題奠定了理論基礎。我們還理論設計了硅鍺量子阱來解決硅基量子計算所面臨的能谷劈裂和自旋軌道耦合效應太弱等關鍵瓶頸。

初審（一審）：高勇

復審（二審）：易梓韻

終審（三審）：賀金龍