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電子信息學(xué)院舉辦“加強(qiáng)半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究解決卡脖子難題”學(xué)術(shù)報(bào)告
發(fā)布時(shí)間: 2023-10-24 作者:林燕婷   來(lái)源:電子信息學(xué)院  

為營(yíng)造濃厚的學(xué)術(shù)氛圍,激發(fā)師生科研活力,10月17日,電子信息學(xué)院在厚德樓A101舉辦“加強(qiáng)半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究解決卡脖子難題”學(xué)術(shù)報(bào)告。本次學(xué)術(shù)報(bào)告邀請(qǐng)了中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員,半導(dǎo)體超晶格國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任、國(guó)家杰出青年基金獲得者駱軍委作報(bào)告。電子信息學(xué)院院長(zhǎng)劉黎明,廣東省光電轉(zhuǎn)換與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室骨干遲鋒、高慶國(guó)、潘新建等老師和學(xué)生代表參加了本次學(xué)術(shù)報(bào)告會(huì),報(bào)告會(huì)由劉黎明主持。

駱軍委首先介紹半導(dǎo)體集成電路已經(jīng)接近物理極限,微電子技術(shù)已經(jīng)從“微電子科學(xué)” 轉(zhuǎn)向“納電子科學(xué)”,從“摩爾定律時(shí)代”進(jìn)入“后摩爾時(shí)代”,面臨“沒(méi)有已知解決方案”的基本物理問(wèn)題挑戰(zhàn),如何延續(xù)摩爾定律是當(dāng)前最重要的前沿科技。迫切需要發(fā)展突破硅 CMOS 器件性能瓶頸的新材料、新結(jié)構(gòu)、新理論、新器件和新電路等系統(tǒng)性的創(chuàng)新體系,以適應(yīng)未來(lái)對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)“更高速、更智能”的需求。他通過(guò)分析我國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的諸多困境,解釋為什么只有加強(qiáng)半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究才能解決“卡脖子”難題。他還給在座師生分享了團(tuán)隊(duì)為延續(xù)摩爾定律提供新方法和新思路所取得的研究進(jìn)展,包括發(fā)展半導(dǎo)體直接帶隙和間接帶隙形成機(jī)制的統(tǒng)一理論,解決硅形成間接帶隙不發(fā)光的困惑,理論上證明廣泛研究的硅量子點(diǎn)無(wú)法實(shí)現(xiàn)高效發(fā)光,排除硅量子點(diǎn)硅基發(fā)光方案,并提出摻雜應(yīng)變錯(cuò)直接帶隙發(fā)光的硅基發(fā)光新方案,為解決硅基發(fā)光世界難題奠定了理論基礎(chǔ)。

在答疑環(huán)節(jié),面對(duì)師生提出的問(wèn)題,駱軍委給予了詳細(xì)、專業(yè)的解答。本次學(xué)術(shù)報(bào)告科學(xué)嚴(yán)謹(jǐn)、內(nèi)容豐富、深入淺出,具有很高的學(xué)術(shù)造詣,極大拓展了我校師生視野,激發(fā)了濃厚的研究興趣,為我校今后在該領(lǐng)域開展深入合作研究奠定了良好的基礎(chǔ)。

報(bào)告會(huì)結(jié)束后,在劉黎明的陪同下,駱軍委參觀了我校的“廣東省光電轉(zhuǎn)換與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”,并與實(shí)驗(yàn)室骨干教師就實(shí)驗(yàn)室建設(shè)和科研合作進(jìn)行了熱烈的交流和探討,為實(shí)驗(yàn)室接下來(lái)的建設(shè)和發(fā)展提供了指導(dǎo)。


初審(一審):高勇

復(fù)審(二審):易梓韻

終審(三審):賀金龍

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